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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.7
16.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3564
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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