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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
55
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
55
读取速度,GB/s
13.9
16.4
写入速度,GB/s
8.7
13.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2612
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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