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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
61
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
61
读取速度,GB/s
16.0
8.2
写入速度,GB/s
10.3
6.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
1813
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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