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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
8.7
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2972
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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