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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
104
左右 -316% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
25
读取速度,GB/s
3,192.0
19.1
写入速度,GB/s
2,404.5
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3768
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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