RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
78
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
78
读取速度,GB/s
15.6
13.1
写入速度,GB/s
11.8
6.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
1584
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link