RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
78
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
1584
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link