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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
18.6
写入速度,GB/s
8.7
15.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3824
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PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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