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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.2
16.2
写入速度,GB/s
8.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2442
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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