Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 37

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 16.2
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2442

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM