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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
13.9
15.7
写入速度,GB/s
8.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2978
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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