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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Kingston KY7N41-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MID 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
8.7
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2869
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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