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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.7
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2498
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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