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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.7
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2973
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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