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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
8.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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