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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
55
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
55
读取速度,GB/s
13.9
9.4
写入速度,GB/s
8.7
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2117
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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