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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
47
读取速度,GB/s
13.9
10.0
写入速度,GB/s
8.7
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2308
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Mushkin 991981 (996981) 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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