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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
51
读取速度,GB/s
12.1
10.9
写入速度,GB/s
9.8
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
2286
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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