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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
12.1
15.8
写入速度,GB/s
9.8
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
2830
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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