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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.3
17.3
写入速度,GB/s
9.4
15.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
3628
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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