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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
13.0
16.3
写入速度,GB/s
8.2
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2918
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
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