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PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
67
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
67
读取速度,GB/s
13.8
14.4
写入速度,GB/s
8.4
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1693
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HX316C10F/4 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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