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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
14.3
14.0
写入速度,GB/s
9.4
9.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2221
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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