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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
9.3
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2317
2981
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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