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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
14.3
11.8
写入速度,GB/s
9.4
8.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2585
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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