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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
60
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
60
读取速度,GB/s
14.3
14.9
写入速度,GB/s
9.4
12.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2511
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
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Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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