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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
27
读取速度,GB/s
17.0
18.2
写入速度,GB/s
11.5
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3538
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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