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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
17.0
18.0
写入速度,GB/s
11.5
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3334
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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