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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
33
读取速度,GB/s
17.0
13.8
写入速度,GB/s
11.5
9.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2553
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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