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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
37
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
18
读取速度,GB/s
11.4
20.4
写入速度,GB/s
7.4
18.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3529
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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