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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
36
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
36
读取速度,GB/s
17.0
15.3
写入速度,GB/s
11.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2935
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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