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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
65
左右 -51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
43
读取速度,GB/s
6.1
16.7
写入速度,GB/s
4.2
10.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2430
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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