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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
12.8
16.2
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3209
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
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