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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
17.0
16.9
写入速度,GB/s
11.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2577
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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