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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
21.5
写入速度,GB/s
8.1
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
4042
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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