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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
20
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
19
读取速度,GB/s
17.0
19.2
写入速度,GB/s
11.5
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3075
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MID 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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