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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
17
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
39
读取速度,GB/s
17.0
17.5
写入速度,GB/s
11.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2600
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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