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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
28
读取速度,GB/s
17.0
13.7
写入速度,GB/s
11.5
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2312
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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