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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
14.2
19.1
写入速度,GB/s
8.9
15.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
3553
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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