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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
32
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
32
读取速度,GB/s
17.0
13.2
写入速度,GB/s
11.5
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2349
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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