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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
29
读取速度,GB/s
18.1
19.6
写入速度,GB/s
11.9
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
4072
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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