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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
35
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
35
读取速度,GB/s
18.1
13.6
写入速度,GB/s
11.9
9.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
2440
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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