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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
12.7
写入速度,GB/s
870.4
8.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1899
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kllisre 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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