RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
49
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
49
读取速度,GB/s
22.8
15.8
写入速度,GB/s
15.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2673
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link