RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

总分
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 20.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 59
    左右 -127% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 20.6
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 16.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 4084

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
内存RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
内存RAM