RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno -127% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
26
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
4084
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link