RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4084
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link