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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
15.6
写入速度,GB/s
8.4
11.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2941
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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