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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
104
左右 -189% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
36
读取速度,GB/s
3,192.0
19.6
写入速度,GB/s
2,404.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3266
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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