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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
8.0
13.6
写入速度,GB/s
7.3
9.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2468
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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